ROHM推出5款全新100V耐壓Dual MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻

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以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻
非常適用於通訊基地台和工控設備等風扇馬達有助降低應用設備功耗和節省空間

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用，推出將二顆100V耐壓MOSFET^*1一體化封裝的Dual MOSFET新產品。新產品分為「HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列」和「HP8MEx（Nch+Pch^*2）系列」共5款新機型。

近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源，考慮到電壓波動，負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。另一方面，提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高，導致效率變差，因此，如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻，成了一大挑戰。另外，風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節省空間，對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求也正不斷增加。

在此背景下，ROHM以全新製程推出Nch和Pch的MOSFET晶片，透過採用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發出具業界超低導通電阻的新系列產品。

新產品透過ROHM全新製程和背面散熱封裝，實現業界超低導通電阻（Ron）^*3（Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與市場上的Dual MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助降低應用設備功耗。另外透過將二顆晶片一體化封裝，可減少安裝面積，有助應用設備節省空間。例如HSOP8封裝產品，若替換掉二顆Single MOSFET（僅內建一顆晶片的TO-252封裝），將可減少77%的安裝面積。

應用範例

通訊基地台用風扇馬達
FA設備等工控設備用風扇馬達
資料中心等伺服器用風扇馬達

透過與預驅動器IC相結合，為馬達驅動提供更出色的解決方案
ROHM透過結合新產品與已具有豐富應用實績的單相和三相無刷馬達用預驅動器IC，使馬達電路板進一步小型化、實現低功耗和靜音驅動。透過為週邊電路設計提供Dual MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支援，為客戶提供滿足其需求且更為出色的馬達驅動解決方案。

結合100V耐壓Dual MOSFET的範例

HT8KE5（Nch+Nch Dual MOSFET）和BM64070MUV（三相無刷馬達用預驅動器IC）
HP8KE6（Nch+Nch Dual MOSFET）和BM64300MUV（三相無刷馬達用預驅動器IC）等

名詞解釋
*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱）
正式名稱為「金屬－氧化物－半導體場效電晶體」，是FET中最常用的結構。常用來當作開關元件。

*2) Pch MOSFET和Nch MOSFET
Pch MOSFET：透過閘極外加相對於源極為負的電壓而導通的MOSFET。可用比低於輸入電壓低的電壓驅動，因此電路結構較為簡單。

Nch MOSFET：透過閘極外加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。與Pch MOSFET相比，汲極~源極間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。

*3) 導通電阻（Ron）
使MOSFET動作（ON）時汲極與源極之間的電阻值。該值越小，則動作時的損耗（功率損耗）越少。

新聞來源：ROHM

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