訂閱電子報，掌握最新科技與產業趨勢
ROHM
2022/12/08
ROHM推出小型化之業界頂級超低功耗MOSFET
絕緣膜構造有助提高無線耳機和穿戴式裝置等輕巧型應用的效率和運作安全性
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出一款小型高效的20V耐壓Nch MOSFET*1「RA1C030LD」，該產品非常適合用於穿戴式裝置、無線耳機等聽戴式裝置、智慧型手機等輕巧型裝置的開關應用。
近年來，隨著小型應用裝置朝向高性能化和多功能化方向發展，裝置內部所需的電量也呈增長趨勢，而電池尺寸的增加，也導致元件的安裝空間越來越少。此外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效利用有限的電池電量，就需要減少用電元件的功耗。
針對上述需求，開發易於小型化且採用特性優異的晶圓級晶片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業界主流。ROHM更利用身為IC製造商的優勢，透過靈活運用IC製程，大幅降低過去Discrete元件製程中會增加的佈線電阻，成功開發出功耗更低的小型功率MOSFET。
新產品採用ROHM獨家IC製程的晶圓級晶片尺寸封裝*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），實現小型化的同時更降低了功耗。與相同封裝的市場競品相比，代表導通損耗和開關損耗之間關係的指標（導通電阻*3×Qgd*4）改善了約20%，達到業界頂級水準（1.0mm×0.6mm以下封裝產品之比較），非常有助縮減各種小型應用電路板上的元件占有面積，並進一步提高效率。另外，也採用ROHM獨家封裝結構，使側壁有絕緣膜的保護（相同封裝的市場競品無絕緣膜）。在受到空間限制而必須以高密度進行元件安裝的小型應用中，使用此款新產品可降低因元件之間的接觸而導致的短路風險，將有助應用的安全運作。
- 無線耳機等聽戴式裝置
- 智慧手錶、智慧眼鏡、極限運動相機等穿戴式裝置
- 智慧型手機
＜名詞解釋＞
*1) Nch MOSFET
透過向閘極施加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。
與Pch MOSFET相比，其汲-源間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。
*2) 晶圓級晶片尺寸封裝
一種在整片晶圓上形成引腳並進行佈線等，然後再切割得到單個成品晶片的超小型封裝形式。與將晶圓切割成單片後透過樹脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內部半導體晶片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。
*3) 導通電阻
MOSFET導通時汲極和源極之間的電阻值。該值越小，導通時的損耗（功率損耗）越少。
*4) Qgd（閘極-汲極間電荷量）
MOSFET開始導通後，閘極和汲極間的電容充電期間的電荷量。該值越小，開關速度越快，開關時的損耗（功率損耗）越小。
新聞來源：ROHM 官網
