訂閱電子報，掌握最新科技與產業趨勢
UnitedSiC
2022/05/20
UnitedSiC(現為 Qorvo)宣布推出具有業界最佳品質因數的1200V第4代SiC FET
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化矽（SiC）場效應電晶體（FET）系列，這些產品在導通電阻方面具備業界出眾的性能表徵。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V匯流排結構，這種結構常見於電動車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、直流太陽能逆變器、焊機、不斷電系統和感應加熱應用。
UnitedSiC（即Qorvo）功率器件總工程師Anup Bhalla稱：「性能較高的第四代產品擴充了我們的1200V產品系列，讓我們能更好地服務於將匯流排設計電壓提高到800V的工程師。在電動車中，這種電壓升高不可避免，而這些新器件有四個不同RDS(on)等級，有助於設計師們為每個設計選擇最適合的SiC產品。」
新UF4C/SC系列的亮點就在於下表中出色的SiC FET性能表徵：
所有RDS(on)產品（23、30、53和70毫歐）都採用行業標準4引腳克耳文源極TO-247封裝，在較高的性能等級下提供更乾淨的開關。 53和70毫歐器件還採用TO-247 3引腳封裝。該系列零件在控制得當的熱性能基礎上實現了出色的可靠性，這種熱性能是先進的銀燒結晶粒連接方式和先進的晶圓薄化工藝帶來的結果。
FET-Jet Calculator™是免費的線上設計工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即評估各種交直流和隔離/非隔離直流轉換器拓撲中所用器件的效能、元件損耗和接面溫度上升。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個器件和並聯的器件，從而得到最佳解決方案。
新UF4C/SC系列的亮點就在於下表中出色的SiC FET性能表徵：
| 品質因數 | 值 |
| RDS(on) • A | 1.35 mOhm-cm2 |
| RDS(on) • Eoss | 0.78 Ohm-uJ |
| RDS(on) • Coss,tr | 4.5 Ohm-pF |
| RDS(on) • Qg | 0.9 Ohm-nC |
所有RDS(on)產品（23、30、53和70毫歐）都採用行業標準4引腳克耳文源極TO-247封裝，在較高的性能等級下提供更乾淨的開關。 53和70毫歐器件還採用TO-247 3引腳封裝。該系列零件在控制得當的熱性能基礎上實現了出色的可靠性，這種熱性能是先進的銀燒結晶粒連接方式和先進的晶圓薄化工藝帶來的結果。
FET-Jet Calculator™是免費的線上設計工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即評估各種交直流和隔離/非隔離直流轉換器拓撲中所用器件的效能、元件損耗和接面溫度上升。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個器件和並聯的器件，從而得到最佳解決方案。
