ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET「R60xxVNx系列」實現業界最快反向恢復時間和超低導通電阻

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有助降低工控裝置和大型家電功耗

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）在600V耐壓SuperJunction MOSFET“PrestoMOS™”產品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款機型，非常適用於電動車充電樁、伺服器、基地台等大功率工控裝置的電源電路、以及空調等因節能趨勢而採用變頻技術的大型生活家電的馬達驅動。

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近年來，隨著全球功率消耗量的增加，如何提升使用效率已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動車充電樁、伺服器和基地台等工控裝置，以及空調等生活家電的效率不斷提升，因此也開始要求所使用的功率半導體可進一步降低功耗。針對此種市場需求，ROHM對現有PrestoMOS™產品進行了改良，具有比同等級市場競品更低的導通電阻、有助進一步降低應用產品功耗。

本次研發的新系列產品採用了ROHM全新製程，實現業界最快的反向恢復時間（trr^*1），同時，與反向恢復時間難以兼顧的導通電阻^*2最多也可以比同等級市場競品低20%。在反向恢復時間方面，延續PrestoMOS™系列產品的105ns（奈秒），為業界最快（與TO-220FM同等級封裝產品相比）反向恢復時間，開關時的功耗比同等級市場競品降低約17%。基於這二大特點，與同等級市場競品相比，新系列將可大大提高應用產品的效率。

除了上述系列產品之外，作為標準型600V耐壓SuperJunction MOSFET，ROHM還研發了具有更低導通電阻的「R60xxYNx系列」，本次也新增二款機型，客戶可以根據應用需求選擇合適的產品群。

＜新產品特點＞

1．實現業界最快反向恢復時間，以及業界超低導通電阻

PrestoMOS™「R60xxVNx系列」透過ROHM新製程，降低了單位面積的導通電阻。由於與反向恢復時間存在著難以兼顧的關係，導通電阻與同等級市場競品相比，最多可減少20%（與TO-220FM同等級封裝產品相比），有助進一步降低各種應用產品功耗。

2. 具業界最快反向恢復時間，開關損耗更低

通常，當製程向更微細的方向發展時，導通電阻等基本性能會得到改善，但與其難以兼顧的反向恢復時間則會變差。而ROHM的PrestoMOS™「R60xxVNx系列」採用自家技術，實現了比同等級市場競品更低的導通電阻的同時，還實現了業界最快105ns（奈秒）反向恢復時間（與TO-220FM同等級封裝產品比較）。由於抑制了多餘浪費的電流量，因此與同等級市場競品相比，開關過程中的功率損耗可以降低約17%。相比之下，包括「R60xxYNx系列」在內的標準型，且相同導通電阻產品的反向恢復時間約為300～400ns（奈秒）。

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由於上述二大特點，在搭載了追求高效率的同步整流升壓電路^*3的評估板上，與導通電阻60mΩ級的產品進行比較時，「R60xxVNx系列」表現出比同等級市場競品更出色的效率，非常有助降低太陽光電逆變器和不斷電系統（UPS）等應用功耗。

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