訂閱電子報，掌握最新科技與產業趨勢
ROHM
2019/11/27
ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET｢SCT3xxx xR系列」
降低35％開關損耗 有助實現低功耗應用
＜概要＞
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）推出6款溝槽閘結構※1）SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品（耐壓650V／1200V），適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。此次新研發的系列產品採用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可減少約35％，有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。
另外ROHM也已開始供應SiC MOSFET評估板「P02SCT3040KR-EVK-001」，其內建適合驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC（BM6101FV-C）、各類電源IC及離散式產品，是一款容易進行元件評估的解決方案。
＜背景＞
近年來隨著AI和IoT的發展，雲端服務的需求日益增加的同時，全球對資料中心的需求也隨之成長。資料中心所用的伺服器正朝著大容量、高性能方向發展，因此降低功耗便成為必須面對的問題。另一方面，傳統伺服器的功率轉換電路中，主要是採用矽（Si）元件，但目前市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。尤其，與傳統封裝相比，採用TO-247-4L封裝的SiC MOSFET，可降低開關損耗，因此有望用於伺服器、基地台、太陽能發電等高輸出設備。既2015年ROHM領先全球成功量產溝槽閘結構SiC MOSFET後，此次開發出650V／1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET，未來也會在開發各種革新性元件的同時，推出適合SiC驅動的閘極驅動器IC解決方案，降低各類設備的功耗。
＜特點＞
採用4引腳封裝（TO-247-4L），開關損耗減少約35％在傳統的3引腳封裝（TO-247N）中，源極引腳的電感成分※2）易引起閘極電壓下降，並延遲開關速度。本次SCT3xxx xR系列所採用的4引腳封裝（TO-247-4L），可分離電源源極引腳和驅動器源極引腳，因此可減低電感成分的影響，充分發揮SiC MOSFET高速開關的性能，還且還能夠大幅改善導通損耗。且與傳統產品相比，導通損耗和關斷損耗合計約可減少35％的損耗。
＜產品陣容＞
SCT3xxx xR系列為採用溝槽閘結構的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型，其中包括3款650V的機型和3款1200V的機型。＜應用範例＞
伺服器、基地台、太陽能逆變器、蓄電系統、電動車充電站 等。＜評估板資訊＞
SiC MOSFET評估板「P02SCT3040KR-EVK-001」中內建適合於驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及離散式產品，可輕易進行評估。為了提供相同條件的評估環境，該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品，還能安裝並評估TO-247N封裝的產品。另外該評估板還可進行雙脈衝測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。開始銷售時間： 2019年9月
評估板型號： P02SCT3040KR-EVK-001
支援網頁： www.rohm.com.tw/power-device-support
＜名詞解釋＞
溝槽（Trench）意為凹槽。是在晶片表面組成凹槽，並在其側壁組成MOSFET閘極的結構。因為沒有平面型MOSFET結構上的JFET電阻，所以比平面結構更容易進行精密切割，有望達到近似於SiC材料原本性能的導通電阻。
*2 電感成分
表示電流變化時由電磁感應產生之電動勢大小的量。 (新聞來源：ROHM 官網)
