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ROHM
2019/08/05
ROHM開發車電超小型MOSFET「RV4xxx系列」提供高度安裝可靠性 有助ADAS相機模組等零件小型化
＜概要＞
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）研發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」，該系列產品可確保零件安裝後的可靠性，且符合車電產品可靠性標準AEC-Q101，是確保車規級品質的高可靠性產品。此外，該系列採用了ROHM獨創的封裝加工技術，非常有助於先進駕駛輔助系統（ADAS）相機模組等高品質車電元件的小型化。＜背景＞
近年來，在ADAS領域中所不可或缺的車電相機，因受到安裝空間的限制，對所配置零件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求，在保持大電流的前提下，可進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET因而備受矚目。另一方面，為確保車電產品的可靠性，會在產品安裝後進行外觀檢測*1），但由於底部電極封裝在側面沒有充分形成穩定的焊接面，因此無法確保車電元件所需要的焊料高度，也很難確認安裝後的焊接狀態，這種情形已是長久以來存在的問題。
ROHM一直領先業界致力於超小型MOSFET的產品研發，並創造了許多傲人佳績。本次透過ROHM獨創製程的 Wettable Flank成型技術*2），在底面電極封裝也能形成焊接面，實現了業界首創※保證封裝側面電極部分具130μm高度，因此可在產品安裝後的外觀檢測中充分確認焊接狀態。
＜特點＞
Wettable Flank成型技術是在封裝側面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。然而，引線框架切割高度越高越容易產生毛邊。
為此ROHM研發出獨創製程，在引線框架整個表面上設定了用來減少毛邊的障壁層，可以防止產品安裝時出現傾斜和焊接不良，在DFN1616封裝產品（1.6mm×1.6mm）中，成為業界首家可保證封裝側面電極部分具有130μm高度。
2. 換裝成小型底部電極MOSFET，減少安裝面積
傳統ADAS相機模組的反接保護電路主要採用蕭特基二極體（SBD）。但是，隨著相機解析度日益提高，在邁向超大電流化方向發展的車電市場，由於小型底部電極MOSFET具有導通電阻低且可減少發熱量的特點，取代SBD已經是大勢所趨。
例如電流2.0A、功耗0.6W時，在車電市場被廣為使用的帶引線封裝MOSFET，與SBD相比可減少30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET，由於散熱性更佳，不僅可實現小型化，還可實現大電流化，因此與傳統的SBD相比，安裝面積可減少78%，與普通的MOSFET相比，安裝面積可減少68%。
＜名詞解釋＞
也稱自動光學檢查或AOI（Automated Optical Inspection）。例如，用相機掃描電路板，檢查零件是否短少和品質缺陷、焊接狀態等。
*2) Wettable Flank技術
在QFN和DFN等底部電極封裝的側面引線框架部分進行切割及電鍍加工，在側面也形成電極的技術。
